一、概況

環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)的依據(jù)是環(huán)境試驗(yàn)方法，隨著生產(chǎn)力的進(jìn)步、國民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，環(huán)境試驗(yàn)方法的日臻豐富，相應(yīng)的環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備亦隨之日益增多。為了使環(huán)境試驗(yàn)?zāi)芸煽?、持續(xù)地得到實(shí)施，這就需要有質(zhì)量*，性能合格的試驗(yàn)設(shè)備，而要達(dá)到這一要求，就需有一個(gè)統(tǒng)一衡量試驗(yàn)設(shè)備尺度即環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)，以及環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定標(biāo)準(zhǔn)。

我國的環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)（以下簡稱“設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)"）宏展儀器及電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法標(biāo)準(zhǔn)（以下簡稱“方法標(biāo)準(zhǔn)"）起草、發(fā)布、實(shí)施于二十世紀(jì)八十年代中期。貴公司所要的標(biāo)準(zhǔn)都可以去“國標(biāo)網(wǎng)"上去查一查,那上面有你全部你所需要的資料.我這里就把我們平常的一些參數(shù)供貴公司參考.

 二、環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)

    1、現(xiàn)行環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)共有九項(xiàng)：

    GB10586-89濕熱試驗(yàn)箱技術(shù)條件        GB10587-89鹽霧試驗(yàn)箱技術(shù)條件

    GB10588-89長霉試驗(yàn)箱技術(shù)條件        GB10589-89低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件

    GB10590-89低溫/低氣壓試驗(yàn)箱技術(shù)條件   GB10591-89高溫/低氣壓試驗(yàn)箱技術(shù)條件

    GB10592-89高、低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件     GB11158-89高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件

    GB11159-89低氣壓試驗(yàn)箱技術(shù)條件

    2、設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中的共性問題

    1）適用范圍

    在上述的九項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)中都明確規(guī)定了本標(biāo)準(zhǔn)適用于生產(chǎn)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備的所有廠家，對(duì)該標(biāo)準(zhǔn)所對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品在作出廠檢驗(yàn)、型式檢驗(yàn)、質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)時(shí)作為依據(jù)。

    2）適應(yīng)性

    按設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)檢測合格的產(chǎn)品，其性能要符合相對(duì)應(yīng)的環(huán)境試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)試驗(yàn)設(shè)備的要求，按其檢驗(yàn)要求檢測合格的產(chǎn)品方可出廠。

    3）操作性

    設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)在貫徹實(shí)施過程中基本能得到貫徹執(zhí)行。同時(shí)，該類標(biāo)準(zhǔn)在設(shè)備制造廠也應(yīng)用較多。

    4）修訂設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的不足之處

    九項(xiàng)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)起草于上世紀(jì)八十年代，隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，工農(nóng)業(yè)及其他待業(yè)的發(fā)展和需求，修訂設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)是必須的。

    3、貫徹執(zhí)行過程中的注意事項(xiàng)

    1）對(duì)基本環(huán)境條件的要求，綜合在一起主要有下列幾項(xiàng)

    A）溫度：15℃~35℃

    B）相對(duì)濕度：不大于85%RH

    C）大氣壓強(qiáng)：86Kpa~106Kpa 

    D）熱輻射：無陽光起直射，無熱源直接輻射

    E）氣流：無強(qiáng)烈氣流，需要時(shí)不可直接吹到箱體上

    F）電磁場：無強(qiáng)烈電磁場

    G）三廢：無高濃度粉塵及腐蝕性物質(zhì)

    H）冷卻水源：水溫不大于30℃，水壓控制在0.1~0.3Mpa

    I）加濕水源：電阻率不低于500Ωm

    J）電源：220±22V、380±38V、50±0.5Hz

    2）負(fù)載要求：

    A）負(fù)載品種：一般可用電工、電子產(chǎn)品或其它產(chǎn)品、零部件及絕緣材料等（鹽霧試驗(yàn)除外）

    B）負(fù)載條件：

     負(fù)載總質(zhì)量：50~80Kg/m3

     負(fù)載總體積：不大于工作室容積的1/5

     阻擋主風(fēng)道總面積：不大于主風(fēng)道所處工作室截面積的1/3

     鹽霧試驗(yàn)設(shè)備：規(guī)格：50＊100＊（1~2）mm

     種類：金屬

     樣品數(shù)：160塊/m2（工作室水平面面積計(jì)）